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消息:英飛凌與II-VI簽署SiC襯底供應(yīng)長(zhǎng)單

來源:貼片電容 發(fā)布時(shí)間:2022-08-29 瀏覽:402
近日據(jù)Seeking Alpha消息稱,英飛凌與II-VI(高意集團(tuán))已簽署了一份為期多年的150mm SiC晶供應(yīng)協(xié)議,雙方還將共同開發(fā)200mm SiC晶圓。


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圖:英飛凌功率器件晶圓廠


報(bào)道稱,該協(xié)議支持英飛凌的多供應(yīng)來源戰(zhàn)略,提高了其關(guān)鍵碳化硅材料供應(yīng)鏈彈性,第一批SiC晶圓已經(jīng)交付。


芯片大師前不久報(bào)道了II-VI:獲東莞天域1億美元SiC襯底訂單,II-VI目前正在包括中國(guó)在內(nèi)的多地拓展150mm和200mm SiC襯底產(chǎn)能。


目前,英飛凌還與安森美、科銳(Wolfspeed)以及日本昭和電工簽署了供應(yīng)協(xié)議。


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圖:SiC功率器件市場(chǎng)份額

根據(jù)報(bào)道引用的一份數(shù)據(jù),2021年全球功率器件市場(chǎng)排名前五的供應(yīng)商分別為意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed、羅姆和安森美


英飛凌首席采購(gòu)官表示:“英飛凌正在加大對(duì)碳化硅產(chǎn)能的投資,以滿足客戶快速增長(zhǎng)的需求。我們很高興將II-VI加入我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商行列,并共同發(fā)展我們的業(yè)務(wù)?!?/span>


英飛凌預(yù)計(jì)其碳化硅半導(dǎo)體銷售額平均每年增長(zhǎng)60%以上,到2025年將達(dá)到約10億美元。在2026-2030年,英飛凌預(yù)計(jì)將繼續(xù)保持增長(zhǎng)勢(shì)頭,為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),英飛凌最近還宣布在馬來西亞居林投資擴(kuò)建產(chǎn)能。


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