近日，韓國研究機構(gòu)OERI在報告中稱，估計韓企和中國廠商在DRAM芯片的技術(shù)差距已縮短至5年。

合肥長鑫是國產(chǎn)DRAM的代表企業(yè)，預(yù)計今年計劃推動第二代10nm（1y或者說16/17nm），而韓國三星和SK海力士計劃在年底前投產(chǎn)第五代10nm級（1b或者說12nm）內(nèi)存芯片。

一般而言，DRAM每一代的演進(jìn)時間是2年到2年半，故根據(jù)計算兩國的技術(shù)差距在5年。按照正常節(jié)奏，國產(chǎn)內(nèi)存芯片完全有機會進(jìn)一步縮短差距，但因為中國受到美國制裁，中國無法引入EUV設(shè)備，所以讓中國縮短這一差距變得困難重重。

在NAND閃存方面,中國與韓國的技術(shù)差距估計大約兩年。長江存儲是在2021年8月開始大規(guī)模生產(chǎn)128層3D NAND閃存。而三星和SK海力士是自2019年以來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)它們。