據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局，5月6日，華為公布了一項(xiàng)關(guān)于“芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備”的專利，涉及主芯片和多個(gè)副芯片的堆疊封裝。

圖：華為專利信息

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，這項(xiàng)專利早在2019年10月30日就申請了，但時(shí)隔兩年半才公開，發(fā)明人是張童龍、張曉東、官勇、王思敏。

該專利描述了一種芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法、電子設(shè)備，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，用于解決如何將多個(gè)副芯片堆疊單元可靠的鍵合在同一主芯片堆疊單元上的問題。

這或許意味著，華為早在2019年就開始為繞開先進(jìn)工藝、通過堆疊設(shè)計(jì)主芯片做技術(shù)儲備。

圖：華為芯片堆疊封裝專利

根據(jù)專利信息，華為描述的芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)包括：

1、主芯片堆疊單元(10)，具有位于第一表面上的絕緣且間隔設(shè)置的多個(gè)主管腳(11)；

2、第一鍵合層(20)，設(shè)置于第一表面上；第一鍵合層(20)包括絕緣且間隔設(shè)置的多個(gè)鍵合組件(21)；

3、多個(gè)鍵合組件(21)中的每個(gè)包括至少一個(gè)鍵合部(211)，任意兩個(gè)鍵合部(211)絕緣設(shè)置，且任意兩個(gè)鍵合部(211)的橫截面積相同；

4、多個(gè)鍵合組件(21)分別與多個(gè)主管腳(11)鍵合；

5、多個(gè)副芯片堆疊單元(30)，設(shè)置于第一鍵合層(20)遠(yuǎn)離主芯片堆疊單元(10)一側(cè)的表面；

6、副芯片堆疊單元(30)具有絕緣且間隔設(shè)置的多個(gè)微凸點(diǎn)(31)；

7、多個(gè)微凸點(diǎn)(31)中的每個(gè)與多個(gè)鍵合組件(21)中的一個(gè)鍵合。

圖：華為芯片堆疊封裝專利

而4月初，芯片大師曾報(bào)道首次公開！菊廠芯片堆疊技術(shù)來了，華為就已經(jīng)公開了一種芯片堆疊封裝及終端設(shè)備專利，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，能夠在保證供電需求的同時(shí)，解決因采用硅通孔技術(shù)而導(dǎo)致的成本高的問題。

而在3月底的華為2021年年報(bào)發(fā)布會(huì)上，華為輪值董事長郭平表示，未來華為可能會(huì)采用多核結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì)方案，以提升芯片性能，同時(shí)，采用面積換性能、用堆疊換性能的方法，使得不那么先進(jìn)的工藝，也能持續(xù)讓華為在未來的產(chǎn)品里面，能夠具有競爭力。