近日，國內(nèi)知名IDM士蘭微公告，已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)開發(fā)，并將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，即將向客戶送樣。
圖：士蘭微
公告還稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，項目取得階段性進展，目標在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。該SiC功率器件生產(chǎn)線項目于2022年7月正式啟動，計劃投資15億元，建設(shè)一條6英寸SiC(碳化硅)功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn)14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年，SiC-SBD芯片2.4萬片/年。士蘭微表示，目前第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平，芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。在新能源汽車領(lǐng)域，SiC功率半導體主要用于驅(qū)動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)等，特斯拉Model 3主逆變器首次采用全SiC功率器件開行業(yè)先河。車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢，可實現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。目前SiC器件主要供應(yīng)商為傳統(tǒng)海外IDM(設(shè)計制造一體化)大廠，其中ST意法、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、安森美5家企業(yè)占據(jù)全球約90%的市場份額，并在近年來相繼推出SiC器件擴產(chǎn)計劃。2022下半年以來，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展邏輯發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變，全球化分工合作前景在逐漸降低，全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控預計會超越產(chǎn)業(yè)周期，成為未來國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主線。
