據(jù)外媒Tomshardware報道，俄羅斯一家研究單位正在研究開發(fā)可被用于7納米制程芯片生產(chǎn)的光刻掃描儀，不過該工具將與ASML或Nikon等公司生產(chǎn)的光刻掃描儀有所不同。

圖源：Tomshardware

報道稱，俄羅斯科學(xué)院下屬的俄羅斯應(yīng)用物理研究所樂觀預(yù)期，俄羅斯到2028年能夠成功研發(fā)且量產(chǎn)出具有7納米制造能力的微影光刻設(shè)備，并預(yù)期設(shè)備研發(fā)生完成后可能會比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。

消息一出有眾多人都不相信，畢竟ASML開發(fā)Twinscan NXT:2000i就花費(fèi)了超過10年時間，而俄羅斯應(yīng)用物理研究所在芯片生產(chǎn)沒有任何經(jīng)驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系，用六年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)難度堪比登天。

據(jù)報道稱，原因在于俄羅斯研發(fā)的微影光刻設(shè)備將與ASML、Nikon等公司生產(chǎn)的光刻掃描儀有所不同。例如俄羅斯應(yīng)用物理研究所計劃使用大于600W的光源、曝光波長為 11.3nm（EUV 波長為13.5nm）。由于該設(shè)備的光源功率相對較低，這將使工具更緊湊，更易于構(gòu)建。然而這也意味著其掃描儀的產(chǎn)量將大大低于現(xiàn)代深紫外 (DUV) 工具的產(chǎn)量。

根據(jù)俄羅斯應(yīng)用物理研究所的研發(fā)計劃，將于2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設(shè)備，使其能運(yùn)作和對潛在投資者有吸引力。緊接計劃于2026年之前制造出具有更高生產(chǎn)力和解析度的微影光刻設(shè)備的測試版設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)晶圓；微影光刻設(shè)備終極版本將于2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有更好的計算量測和整體能力。?