針對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程方面，魏哲家表示臺(tái)積電3納米家族量產(chǎn)仍按照計(jì)劃在今年下半年進(jìn)行，且維持鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)。“制程技術(shù)不只好看、好聽還要實(shí)用?！彼f。

同時(shí)，魏哲家還透露2納米規(guī)劃將于2025年量產(chǎn)，屆時(shí)還是電晶體密度最小、效能最佳的先進(jìn)制程技術(shù)。據(jù)悉臺(tái)積電2納米技術(shù)和3納米技術(shù)相比，在相同功率下速度將提升10%至15%；在相同速度下，功耗將降低25%至30%。

圖源：網(wǎng)絡(luò)

魏哲家在會(huì)上還分享了他觀察到的半導(dǎo)體行業(yè)三個(gè)改變，他認(rèn)為：

第一個(gè)改變是單靠電晶體驅(qū)動(dòng)技術(shù)效能提升已經(jīng)不夠，還要3D IC對(duì)外溝通，要用堆疊的方式。

第二個(gè)改變是各項(xiàng)產(chǎn)品半導(dǎo)體含量一直在增加，包括先進(jìn)制程及成熟制程需求都在增加。

第三個(gè)改變，供應(yīng)鏈變成了重要因素。全球化有效率供應(yīng)系統(tǒng)時(shí)代已經(jīng)過去，現(xiàn)在為了安全講區(qū)域化，所有成本會(huì)急速增加。