日前，中國電科第二研究所宣布，團(tuán)隊(duì)自研設(shè)備目前已實(shí)現(xiàn)4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進(jìn)展。

來源：中國電科第二研究所

據(jù)中電科二研所發(fā)布的信息，激光剝離設(shè)備有機(jī)結(jié)合激光精密加工和晶體可控剝離，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體晶體高可靠切片工藝，可將晶體切割損耗降低60%以上，加工時(shí)間減少50%以上，并實(shí)現(xiàn)晶體加工整線的高度自動(dòng)化。

激光剝離可用于碳化硅、氮化鎵、金剛石等硬脆半導(dǎo)體材料加工，實(shí)現(xiàn)襯底成本的大幅降低，亦可擴(kuò)展至電力電子與微波射頻芯片制造、異質(zhì)材料復(fù)合襯底制造、集成電路先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)晶圓減薄、解鍵合等先進(jìn)工藝，支撐國防軍工、下一代移動(dòng)通信、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展及國家安全、新基建、雙碳經(jīng)濟(jì)等國家重大戰(zhàn)略的實(shí)施，被譽(yù)為半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的“光刻機(jī)”。

目前，團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ)，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離，取得突破性進(jìn)展。下一階段，激光剝離項(xiàng)目將以“大尺寸化、快速生產(chǎn)化、高良率化、全自動(dòng)化、低能耗化”為目標(biāo)，迅速開展由碳化硅晶錠至合格襯底片的自動(dòng)化設(shè)備貫線，真正解決國家第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)問題，為國家發(fā)展貢獻(xiàn)力量。