近日,日本汽車零部件供應商電裝開發(fā)了一種用于電動汽車的功率半導體器件,可將功率損耗降低20%。
圖源:《日經(jīng)亞洲評論》
據(jù)悉,日本電裝的新型RC-IGBT可以將二極管集成為一種被稱為絕緣柵雙極晶體管的功率半導體器件中,從而達到體積減小,功率損耗降低的效果。比市場上的現(xiàn)有產(chǎn)品小約30%,同時還降低了功率損耗。
據(jù)賽迪顧問集成電路中心高級咨詢顧問池憲念表示,日本電裝的新型RC-IGBT如果進入市場,一是可以使得電動汽車的能耗降低并促進電動車續(xù)航能力的提升,二是會給市場上其他高功耗功率半導體產(chǎn)品帶來巨大競爭力。在電動車亟須降低能源消耗、提高續(xù)航能力的背景下,日本電裝本次的功率半導體器件新產(chǎn)品,將會有巨大的市場潛力。
據(jù)電裝首席技術官Yoshifumi Kato表示:“半導體將在下一代汽車中發(fā)揮越來越重要的作用,我們將為電源芯片和模擬芯片帶來內(nèi)部材料和設計流程?!?/span>