芯片大師曾報道HW更新IGBT、芯片封裝等多項技術專利，已有跡象表明，除了已經(jīng)曝光的輔助駕駛系統(tǒng)、車載攝像頭和車載驅動芯片外，華為正在發(fā)力分立器件、芯片封裝等下游環(huán)節(jié)。

TheElec援引消息人士爆料稱，華為正計劃直接采購NAND閃存晶圓并自行處理封裝和測試工作，而此前，華為大量用于智能手機等產(chǎn)品的NAND閃存都是直接采購封裝好的成品。

他補充稱，華為正在為芯片封測安裝必要的設備，最早可能在今年下半年投入使用，而目前大量采購的NAND閃存芯片來自長江存儲。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù)，長江存儲的全球市場份額已經(jīng)從2020年的1%上升至2.5%。 

圖：華為申請的封裝專利

若爆料成真，意味著華為正在建設芯片（die，裸芯片）級別的封裝和測試生產(chǎn)線。

根據(jù)公開資料和華為的產(chǎn)品線，華為自有的封裝技術已經(jīng)涉及到PCB和板卡級，這部分不涉及裸片切割，涉及一定程度的IC基板技術，比如數(shù)字電源等。

整體上，IC封裝和測試屬于芯片制造鏈中技術難度低、人力投入大和增值較小的環(huán)節(jié)，也是國內(nèi)企業(yè)占據(jù)市場（非先進封裝）優(yōu)勢的領域。同時，國內(nèi)近年來在NAND和DRAM晶圓廠的投入使廠商自行采購不易受管控的存儲晶圓來實現(xiàn)自行封裝變成了可能。

圖：華為國產(chǎn)化較高的Mate40E

以往華為手機的拆解中，主板上沒有國產(chǎn)化的芯片主要是兩大部分：來自高通、Skyworks和Qorvo的射頻部分，來自三星、海力士和美光的存儲部分——NAND和DRAM。

目前來看，長江存儲和合肥長鑫的量產(chǎn)和產(chǎn)品表現(xiàn)使華為在存儲領域有了成熟的備份供應來源，既可以直接采購單芯片/模組，也可以采取自封裝的形式完成替代。

究竟成果如何，讓我們拭目以待。