圖：IGBT發(fā)明專利說明

從公開的消息顯示，HW11月更新了一項名為“半導(dǎo)體器件及相關(guān)芯片和制備方法”的發(fā)明專利，主要用于提高IGBT在大電感負載電路中的性能。

而HW其他同期公布的專利還包括輔助駕駛系統(tǒng)、車載攝像頭和車載驅(qū)動芯片等，由于目前消費領(lǐng)域IGBT大部分用于電動汽車，因此HW正深度研發(fā)電動汽車底層的器件和方案可能性極高。

圖：HW深度賦能的AITO品牌

無獨有偶，12月2日，HW深度合作的賽力斯汽車發(fā)布了“由HW深度賦能”的全新高端品牌AITO。HW智能汽車解決方案BU CEO余承東在發(fā)布會上稱，該車是首款搭載最新鴻蒙生態(tài)（HarmonyOS）座艙的車型，聯(lián)系起來實在引人遐想。

此外，HW近期還公布了兩項芯片封裝技術(shù)方面的專利，分別名為“封裝芯片及封裝芯片的制作方法”、“芯片封裝組件、電子設(shè)備及芯片封裝組件的制作方法”。

圖：芯片封裝發(fā)明專利

2021年6月，HW在武漢建立首家光通信芯片制造工廠的消息傳出。盡管尚不清楚該項封裝技術(shù)具體用于何種芯片，但隨著供應(yīng)鏈封鎖的持續(xù)，5G通信、汽車、手機等業(yè)務(wù)的競爭步入深水區(qū)，HW深度介入更廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和制造已經(jīng)成為不得不走的一步。

有業(yè)內(nèi)人士透露，這次HW對外公開的芯片技術(shù)專利，和此前曝光的“雙芯疊加”技術(shù)相關(guān)，包含了3D封裝、異構(gòu)等等都在這個專利范圍之內(nèi)。

此前外界猜測，“雙芯疊加”技術(shù)用于手機SoC，使用多顆14nm芯片疊加接近實現(xiàn)7nm芯片的效能，類似于近年因摩爾定律極限而大火的Chiplet（小芯片）技術(shù)。