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當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月18日，路透社援引知情人士消息稱，美國(guó)官員不希望先進(jìn)工藝半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入中國(guó)，SK海力士無錫廠引進(jìn)EUV將受到影響。
11月18日騰訊《深網(wǎng)》報(bào)道稱，余承東近期在消費(fèi)者業(yè)務(wù)內(nèi)部宣講會(huì)上表示，華為手機(jī)還會(huì)做下去，2023年要王者歸來。
11月18日，德州儀器 (TI) 宣布計(jì)劃于2022年開始在德克薩斯州謝爾曼建造新的300毫米半導(dǎo)體晶圓廠。
近日，IC Insights發(fā)布2021年全球半導(dǎo)體企業(yè)增長(zhǎng)率排名的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)。
當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月15日，IBM高管宣布，該公司設(shè)計(jì)出了首款超過100個(gè)量子比特的量子計(jì)算芯片，這款芯片將使量子系統(tǒng)在未來兩年內(nèi)在某些任務(wù)上的表現(xiàn)開始超過傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)。
據(jù)白宮發(fā)言人及知情人指出，拜登政府仍堅(jiān)持將半導(dǎo)體制造遷回本土，強(qiáng)烈反對(duì)英特爾擴(kuò)大對(duì)中國(guó)成都廠的產(chǎn)能投資。
前情回顧： 第一期：松下MOSFET驅(qū)動(dòng)器——可實(shí)現(xiàn)高輸出電壓和高速操作！ 在上一篇文章中我們概述了“MOSFET驅(qū)動(dòng)器”。作為產(chǎn)業(yè)設(shè)備、信息基礎(chǔ)設(shè)施、蓄電系統(tǒng)、汽車等用途中主流的Si-MOSFET和SiC-MOSFET，為了適應(yīng)行業(yè)需求，松下推出“高輸出電壓”和“高速操作”MOSFE...
據(jù)南華早報(bào)報(bào)道，美國(guó)博通公司（Broadcom）的一名前首席工程師被美國(guó)指控竊取用于大容量數(shù)據(jù)中心芯片的商業(yè)機(jī)密，并將其用于他在一家中國(guó)的一家初創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)公司。
