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DMG6602SVT-7 DIODES美臺 MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 30V 3.4A，2.8A 840mW 表面貼裝型 TSOT-26
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 FET、MOSFET 陣列 | |
制造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷帶 | |
Product Status | 不適用于新設計 | |
FET 類型 | N 和 P 溝道 | |
FET 功能 | 邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動 | |
漏源電壓（Vdss） | 30V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 3.4A，2.8A | |
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 60 毫歐 @ 3.1A，10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 840mW | |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
封裝/外殼 | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | |
供應商器件封裝 | TSOT-26 | |
基本產(chǎn)品編號 | DMG6602 |
