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IS42S32800G-6BLI ISSI/芯成 SDRAM 存儲(chǔ)器 IC 256Mb 并聯(lián) 166 MHz 5.4 ns 90-TFBGA

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IS42S32800G-6BLI  ISSI/芯成  SDRAM 存儲(chǔ)器 IC 256Mb 并聯(lián) 166 MHz 5.4 ns 90-TFBGA

類別
集成電路(IC)
存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列
-
包裝
托盤
Product Status
不適用于新設(shè)計(jì)
存儲(chǔ)器類型
易失
存儲(chǔ)器格式
DRAM
技術(shù)
SDRAM
存儲(chǔ)容量
256Mb
Memory Organization
8M x 32
存儲(chǔ)器接口
并聯(lián)
時(shí)鐘頻率
166 MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁
-
訪問時(shí)間
5.4 ns
電壓 - 供電
3V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
90-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝
90-TFBGA(8x13)
基本產(chǎn)品編號(hào)
IS42S32800

IS42S32800G-6BLI.png