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STGWA40H65DFB ST IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 長(zhǎng)引線

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STGWA40H65DFB  ST  IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 80 A 283 W 通孔 TO-247 長(zhǎng)引線

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
制造商
STMicroelectronics
系列
HB
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值)
80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,40A
功率 - 最大值
283 W
開(kāi)關(guān)能量
498μJ(開(kāi)),363μJ(關(guān))
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
210 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值
40ns/142ns
測(cè)試條件
400V,40A,5 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)
62 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-247 長(zhǎng)引線
基本產(chǎn)品編號(hào)
STGWA40

STGWA40H65DFB.jpg