FDV303N 是采用 SOT-23 封裝的表面貼裝、N 通道邏輯電平增強(qiáng)模式數(shù)字 FET。該器件具有高單元密度、DMOS 技術(shù)，該技術(shù)專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻和保持低柵極驅(qū)動(dòng)條件而設(shè)計(jì)。即使在低至 2.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，它也具有出色的導(dǎo)通電阻，設(shè)計(jì)用于使用一節(jié)鋰或三節(jié)鎘或 NHM 電池的電池電路、逆變器、手機(jī)等電子設(shè)備中的高效微型分立 DC/DC 轉(zhuǎn)換和尋呼機(jī)。