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IPD50P03P4L11ATMA2 INFINEON/英飛凌 表面貼裝型 P 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-11

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IPD50P03P4L11ATMA2  INFINEON/英飛凌   表面貼裝型 P 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-11

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
單 FET，MOSFET

制造商
Infineon Technologies

系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-P2

包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷帶

Product Status
在售

FET 類型
P 通道

技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）
30 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
50A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
10.5 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 85μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V

Vgs（最大值）
+5V，-16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3770 pF @ 25 V

FET 功能
-

功率耗散（最大值）
58W（Tc）

工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型
表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝
PG-TO252-3-11

封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

基本產(chǎn)品編號
IPD50P03

IPD50P03P4L11ATMA2.png