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IPD30N08S2L-21 INFINEON/英飛凌 表面貼裝型 N 通道 75 V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11

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IPD30N08S2L-21  INFINEON/英飛凌  表面貼裝型 N 通道 75 V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
單 FET,MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS?
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel? 得捷定制卷帶
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
75 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)
20.5 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)
2V @ 80μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值)
72 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)
1650 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TO252-3-11
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
基本產(chǎn)品編號(hào)
IPD30N08

IPD30N08S2L-21.png