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IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON/英飛凌 表面貼裝型 N 通道 40 V 100A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-3-2
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 單 FET，MOSFET | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | OptiMOS? | |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷帶 | |
Product Status | 在售 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 40 V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 100A（Tc） | |
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 2.4 毫歐 @ 100A，10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 70μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 90 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 7180 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 115W（Tc） | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應商器件封裝 | PG-TO263-3-2 | |
封裝/外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | |
基本產(chǎn)品編號 | IPB100 |
