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IRLB8314PBF INFINEON/英飛凌 TO-220-3
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET? | |
包裝 | 管件 | |
產(chǎn)品狀態(tài) | 在售 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 30 V | |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 171A（Tc） | |
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） | 2.4 毫歐 @ 68A，10V | |
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 100μA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 60 nC @ 4.5 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 5050 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安裝類型 | 通孔 | |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220-3 | |
封裝/外殼 | TO-220-3 | |
基本產(chǎn)品編號 | IRLB8314 |
