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IPB042N10N3G INFINEON/英飛凌 功率場效應(yīng)管, MOSFET, N通道, 100 V,
100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安裝
| 產(chǎn)品種類: | MOSFET | |
| RoHS: | 詳細(xì)信息 | |
| 技術(shù): | Si | |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT | |
| 封裝 / 箱體: | TO-263-3 | |
| 晶體管極性: | N-Channel | |
| 通道數(shù)量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 100 V | |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 100 A | |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 4.2 mOhms | |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V | |
| Qg-柵極電荷: | 88 nC | |
| 最小工作溫度: | - 55 C | |
| 最大工作溫度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 214 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商標(biāo)名: | OptiMOS | |
| 封裝: | Reel | |
| 封裝: | Cut Tape | |
| 封裝: | MouseReel | |
| 商標(biāo): | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降時間: | 14 ns | |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值: | 73 S | |
| 高度: | 4.4 mm | |
| 長度: | 10 mm | |
| 產(chǎn)品類型: | MOSFET | |
| 上升時間: | 59 ns | |
| 系列: | OptiMOS 3 | |
| 工廠包裝數(shù)量: | 1000 | |
| 子類別: | MOSFETs | |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel | |
| 典型關(guān)閉延遲時間: | 48 ns | |
| 典型接通延遲時間: | 27 ns | |
| 寬度: | 9.25 mm | |
| 零件號別名: | IPB42N1N3GXT SP000446880 IPB042N10N3GATMA1 | |
| 單位重量: | 324 mg |
