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IRFR5305TRPBF
制造商 | Infineon Technologies | |
制造商產(chǎn)品編號(hào) | IRFR5305TRPBF | |
描述 | MOSFET P-CH 55V 31A DPAK | |
詳細(xì)描述 | 表面貼裝型 P 通道 55 V 31A（Tc） 110W（Tc） D-Pak |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET? | |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷帶 | |
Product Status | 在售 | |
FET 類型 | P 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 55 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 31A（Tc） | |
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） | 65 毫歐 @ 16A，10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak | |
封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | IRFR5305 |
