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IRF3205PBF
制造商 | Infineon Technologies | |
制造商產(chǎn)品編號(hào) | IRF3205PBF | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB | |
詳細(xì)描述 | 通孔 N 通道 55 V 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET? | |
包裝 | 管件 | |
Product Status | 在售 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） | |
漏源電壓（Vdss） | 55 V | |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 110A（Tc） | |
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） | 8 毫歐 @ 62A，10V | |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） | 146 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） | 3247 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 200W（Tc） | |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安裝類型 | 通孔 | |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB | |
封裝/外殼 | TO-220-3 | |
基本產(chǎn)品編號(hào) | IRF3205 |
